Intel оснастить нові процеси dram-пам`яттю

Інженери Intel змінили дизайн DRAM-пам`яті: тепер кожна її осередок складається з всього лише двох транзисторів, а конденсатори повністю виключені. Розміри пам`яті стали менше настільки, що тепер її можна поміщати прямо в процесор, повідомляє TG Daily.

Така пам`ять, приєднана до процесора, зможе повністю замінити кеш, який становить більш дорога і повільна пам`ять SRAM (статична пам`ять з випадковим доступом). Вченим вдалося розігнати пам`ять до 2 ГГц і досягти пропускної здатності 128 ГБ в секунду - у кілька разів більше в порівнянні зі статичною пам`яттю.

Поки нова DRAM виконана з використанням 65-нм технологічного норми. Однак в компанії сподіваються, що при переході на нову формулу транзисторів їм вдасться підвищити частоту пам`яті до значень, порівнянних з тактовою частотою процесорів. Після цього нову DRAM планується використовувати в процесорах Intel Terascale.

Увага, тільки СЬОГОДНІ!